• CMOS射频前端集成电路研究 / 陈晓飞副教授

    2020-07-17 13:19:54

    次阅读


    基于CMOS工艺片上集成PA,由于输出功率和效率限制,面临巨大的设计挑战,我们在国家自然科学基金项目支持下,围绕射频功率放大器的低成本集成化目标,研究了动态电源驱动射频功率放大器在标准CMOS工艺下的集成化问题。

    研究片上电感的设计与建模、射频前端LNA/VCO/MIXER/PA等核心电路基于CMOS工艺的设计实现,设计了多款45M-2.4GHz频带范围内的射频收发器电路。


    本项目由国家自然科学基金项目(No. 61076030)“基于CMOS工艺的动态电源驱动架构射频集成功率放大器关键问题研究”支持。


    购彩助手注册 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>