在闪存芯片使用过程中，其单元存储的数据会出现各种错误并最终导致存储单元失效，若存储介质在闪存运行时产生了无法纠正的数据错误将影响整个存储系统的正常使用。如果在闪存芯片失效之前能够预测闪存芯片距离寿命极限的使用时间，同时结合纠错码或者及时进行数据迁移，就能够在闪存芯片失效前完全确保存储数据的正确性。所以，研究预测闪存芯片在实际使用期间的剩余寿命值对提高基于闪存芯片的存储系统的可靠性而言有着非常重要的意义。
可视化界面控制测试系统，专用Flash测试座，并行性高，可同时测1~512颗闪存芯片。
本课题为2019年国家自然科学基金面上项目，61874047。